半导体产业是基于常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料而发展的产业，主要生产集成电路芯片和各类分立器件，广泛应用于电脑、移动终端、消费电子等领域。半导体是信息技术产业的核心，其发展规模和技术水平已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。
low-K晶圆切割
硅晶圆——半导体集成电路制作的“地基”。6寸、8寸晶圆在被淘汰，12寸晶圆成为主流。尺寸越大，晶圆利用率会更高，芯片生产成本会更低，且效率会更高。
晶圆的应用规格在发展，加工方式也随之改变。以前采用磨粒加工方式，但成品率低、切割形状不稳定，陆续发展成为机械切割加工，直接加工low-k晶圆，会造成金属崩裂，当下激光开槽加工逐渐成为主流，可以去除low-k层，为机械切割去除应力。
晶圆加工方式对比（图源：网络）
激光开槽加工主要有三道加工工序：
1. Narrow：先用Dual narrow方式在切割道内部切两条细线保护槽，决定激光开槽是否有崩裂的风险。
2. Wide beam：开槽的主要手段，决定开槽的槽形和深度。
3.激光开槽完成后再使用切割刀片进行全切割加工。
low-k晶圆开槽加工示意图
针对这个过程，LBTEK推出了low-k晶圆切割方案，可解决加工过程中的一些重点问题。
low-k晶圆开槽加工光路
LBTEK提供激光器控制模块、扩束准直模块、光路分束模块、发散偏振控制模块、中继透镜模块、聚焦和保护模块、光路开关等low-k晶圆激光开槽加工方案的核心器件，也可以提供从原理到落地的全流程服务支持。
激光退火
退火（Annealing）是一种通过加热材料至特定温度并控制冷却的热处理工艺，离子注入损伤修复和制作欧姆接触是退火在高端制造领域中两种最主要的应用。合理的退火方式成为制备低接触电阻、稳定性更好的碳化硅、氮化镓材料欧姆接触的关键性一步。从保护晶圆、降低能耗的两个角度出发，需要一种作用深度浅的局域晶圆退火工艺。
退火应用（图源：网络）
传统退火工艺的修复损伤效果并不理想，即使在温度高至1150度时仍不能彻底消除离子注入层的缺陷，且容易产生二次缺陷，此外，需要的热处理时间较长，退火过程中杂质再扩散现象比较明显。对比之下，可进行局部退火的特点使得激光退火成为目前退火工艺的主要方式。激光退火工艺的激光光源的光斑大小以及空间位置可控，对样品进行局部退火，能量密度较高，可以大幅度缩短退火时间，退火后的样品晶粒尺寸更大，缺陷更少，制备的器件具有更好的电学性能。
针对这个过程，LBTEK推出了激光退火方案，可解决加工过程中的一些重点问题。
LBTEK提供激光器、扩束准直模块、光路分束模块、光斑整形模块、功率检测模块、聚焦和保护模块等激光退火方案的核心器件，也可以提供从原理到落地的全流程服务支持。